タキテックは信頼性の高い高周波部品を、当社独自の品質管理のもとお届けします

イノグレーション社は、親会社が香港にあり、中国蘇州で製造を行うRFパワー半導体、デバイス、モジュール及びサブシステム等の設計・製造を専門とするメーカーです。

社長の Goldon Ma は米モトローラー社でLDMOSの開発（28V LDMOS、3.6-6V LDMOS)を
担当し、その後エリクソン、インフィ二オンでRFパワーデバイスの開発設計のマネージメントに携わり、２００８年にイノグレーレーションを設立しました。

同社はLDMOS、GaN のベアチップの設計から行っており（台湾のファンドリーサービスを使用してます）ベアチップでの供給、パッケージ品としての供給、ベアチップを直接マイクロストリップ基盤にダイアタッチ（i-module)しての供給を行っております。 ダイアタッチはLDMOSではAuSi合金、GaNでは、AuSnに加えAg焼結も採用しており、Ag焼結のバッチプロセスによる
製品の低価格化を行っております。

また、MOS CAPを独自設計する事で、大きさ、キャパシタンスの異なる多くの種類が作れ、それによりサイズが限られたパッケージ内に適切なキャパシタンスのMOS CAPを使用し、高調波チューニングの効果により高効率を実現しております。
（詳しくはこちらでもご紹介しています）

中国・アメリカの半導体技術、アセンブリ、アプリケーションにおいて30以上のパテントを
持っておりアジアにおいてLDMOS/GaN技術をGaAsやVDMOS、one stop RF Power houseと共に提供できる唯一の民間企業です。

同社の技術力は世界的なリーダー企業であるSTマイクロエレクトロニクス社にも認められており
2018年2月には、LDMOS RFパワー技術におけるライセンス及びコーポレーション協定を結んだ事を発表しています。

アクティブダイ、集積パッシブデバイス、パッケージパワートランジスタ、MMIC、MCMなど
幅広い製品ラインナップを持ち、カスタムなどの対応も可能です。

詳しいプレゼンテーション資料（英文）はこちらからご覧いただけます。(2018/5/18更新）
日本語での簡略版プレゼンテーション資料はこちらです。

GaNトランジスターパワーアンプ（品番：IMPA2425-270）を使用して
ウォーター・ヒーティングテストを行いました。
GaNトランジスターアンプは2.45GHz単一周波数を放射可能で、サイドローブが狭く
抑制も可能。インコーヒレントで無い為、位相制御（干渉を制御）し、
加熱目的物に均一に加熱及び、狙った場所への選択加熱も可能になります。

無線インフラ
・マクロセル基地局、RRU
パッケージデバイス
4.5G/5G Massive MIMO MCM
・WIFI
2.4GHz / 5.8GHz
・MDAS and small cell
シングルバンド　(850/900/1800/1900/2100/2300/2600MHz) 
フルバンド (850MHz ー 2.6GHz)
・ポイント－ポイント　バックホール

RFエネルギー
・マグネトロン代替品
・プラズマライト
・加熱用 / 調理用　ソリッドステート
・シンクロトロン加速装置
・医療機器
（MRI / アブレーション / 肌トリートメント / 高周波療法）

マルチマーケット
・広帯域通信
バンドI：30-512MHz
バンドII：500-2500MHz
・試験、計測
ウルトラワイドバンド、マルチプルオクターブ
・パルスレーダー
アビオニクス (960-1215MHz)
L バンド (1.2-1.4GHz)
・Beidou衛星ナビゲーション
1.6GHz
・非携帯電話市民バンド モバイルネットワーク
230MHz / 350MHz / 1.4GHz

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